전력 소비 30% 줄고 용량 2배로

삼성전자는 세계 최초로 256기가비트(Gb) V낸드 플래시메모리 반도체 양산에 성공했다고 11일 밝혔다. 이는 기존 2세대(32단) 128기가비트 낸드 플래시메모리 반도체보다 저장 용량을 2배 향상시킨 것으로 업계 최고 수준이다.

삼성전자 측은 “이번에 양산되는 3세대 V낸드는 2세대 제품보다 두 배가량 저장 용량이 많은 것은 물론 데이터를 더욱 빠르게 저장하고 소비 전력도 30% 이상 줄일 수 있다”고 소개했다.

데이터를 저장하는 ‘셀’을 평면이 아닌 수직 구조로 쌓아 올리는 기술이 적용된 V낸드 기술은 전 세계에서 삼성전자가 유일하다. 이 셀을 32단으로 쌓아 올린 2세대 제품보다 1.5배 높은 48단으로 쌓아 올린 기술이 적용된 게 ‘3세대 V낸드’다. 삼성전자는 지난해 8월 2세대 V낸드를 생산한 지 1년 만에 3세대 V낸드를 본격 양산한다. 내년에는 단수를 64단까지 높여 생산할 계획이다.

업계에선 이번 신제품이 삼성전자 반도체의 수익성 강화는 물론 메모리시장에서 삼성의 독주 체제를 굳히도록 할 것으로 보고 있다.

삼성은 또 이번 신제품이 기존 128기가비트 낸드가 적용된 솔리드스테이트드라이브(SSD)와 같은 크기를 유지하면서 용량을 두 배 높일 수 있다는 점에서 ‘테라 SSD 대중화’를 이끌 것으로 기대된다고 전망했다.

주현진 기자 jhj@seoul.co.kr