삼성 세계 첫 20나노급 낸드 양산

삼성 세계 첫 20나노급 낸드 양산

입력 2010-04-20 00:00
수정 2010-04-20 00:48
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SD카드용 먼저 출시 “스마트폰 시장 선점”

삼성전자가 세계 최초로 20나노급 낸드플래시 메모리 반도체 양산에 들어갔다.

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삼성전자 반도체 연구원들이 19일 세계 최초로 양산에 들어간 20나노급 낸드플래시 웨이퍼와 20나노급 낸드플래시를 적용한 SD카드를 소개하고 있다. 삼성전자 제공
삼성전자 반도체 연구원들이 19일 세계 최초로 양산에 들어간 20나노급 낸드플래시 웨이퍼와 20나노급 낸드플래시를 적용한 SD카드를 소개하고 있다.
삼성전자 제공
삼성전자는 20나노급 공정 32Gb(기가비트) 멀티레벨셀(MLC) 낸드플래시를 지난주 말부터 양산하기 시작했다고 19일 밝혔다. 낸드플래시는 휴대전화나 디지털카메라 등에 저장장치로 쓰이는 부품이다. MLC는 낸드플래시의 일종으로 싱글레벨셀(SL C)보다 속도는 느리지만 용량은 더 크다.

이번에 양산을 시작한 20나노급 MLC 낸드플래시는 기존 30나노급보다 생산성이 50% 정도 향상됐다. 삼성전자 관계자는 “20나노급 MLC전용 구동장치(컨트롤러)도 함께 개발, 30나노급 낸드 제품과 같은 수준의 신뢰성도 확보했다.”고 설명했다.

삼성은 20나노급 MLC 낸드플래시 제품을 디지털카메라 등에 쓰이는 메모리카드인 SD카드용으로 먼저 출시했다. 20나노급 낸드플래시 전용 컨트롤러를 탑재한 8GB 이상 용량의 SD 카드는 메모리카드 중 최고 쓰기 속도인 초당 10MB(메가바이트) 이상을 구현할 수 있다.

삼성전자는 앞으로 20나노급 낸드플래시의 비중을 지속적으로 늘려 4GB(기가바이트)부터 64GB 용량까지 제품군을 운용할 방침이다.

조수인 삼성전자 반도체사업부 메모리담당 사장은 “올해 20나노급 낸드플래시로 스마트폰용 대용량·고성능 프리미엄 내장 스토리지 시장은 물론 고성능 메모리 카드 시장을 선점, 플래시 메모리 사업 경쟁력을 높일 것”이라고 말했다.

한편 지난 2월 20나노급 64Gb 낸드 플래시의 개발을 발표한 하이닉스반도체는 오는 3분기에 제품을 양산할 계획이다.

인텔과 마이크론의 합작사인 IM 플래시 테크놀로지는 2분기 중 양산에 들어갈 것으로 전해졌다.

이두걸기자 douzirl@seoul.co.kr
2010-04-20 9면
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