3년간 7.8조 투자… 내년 완공 3차원

삼성이 중국 시안(西安) 반도체 공장에 2기 생산라인을 짓는다. 늘어나는 3차원(3D) V낸드플래시 수요에 대응하기 위해서다.

삼성전자는 28일 중국 산시성 시안시에서 반도체 메모리 제2라인 기공식을 열었다고 밝혔다. 지난해 8월 2라인에 3년간 총 70억 달러(약 7조 8000억원)를 투자하기로 산시성 정부와 양해각서(MOU)를 맺은 데 따른 것이다. 완공은 내년 예정이다. 삼성전자 관계자는 “2기 투자를 통해 낸드플래시 최대 수요처이자 글로벌 모바일·정보기술(IT) 업체들의 생산기지가 집중돼 있는 중국에서 제조 경쟁력을 강화하고 중국 시장 요구에 더 원활히 대응할 수 있을 것”이라고 기대했다.

V낸드는 미세화 공정 기술 한계를 극복하기 위해 개발된 기술로 회로를 위로 쌓아 3차원 구조로 만든 낸드플래시다. 집적도가 높아 용량이 크기 때문에 최근 글로벌 IT 기업들이 경쟁적으로 짓고 있는 데이터센터나 스마트폰 저장장치, 하드디스크를 대체하고 있는 솔리드스테이트드라이브(SSD) 등에 쓰인다.

삼성전자에 따르면 2014년부터 V낸드를 양산해 온 시안 공장은 100% 돌려도 수요를 맞추지 못하는 실정이다. 김기남 삼성전자 사장은 기공식에서 “시안 2기 라인의 성공적인 운영으로 최고의 메모리 반도체 제품 생산과 함께 차별화된 솔루션을 고객에게 제공해 글로벌 IT 시장 성장에 기여하겠다”고 말했다.

김민석 기자 shiho@seoul.co.kr