美실리콘밸리서 파운드리 포럼
모바일용 중심 신공정 양산 계획
3나노 대비 12% 성능 향상 기대
최시영 사장 “AI 기술 변화 주도”

삼성전자가 파운드리(반도체 위탁생산) 2나노(㎚) 공정의 구체적인 로드맵을 처음 발표하며 1위 업체인 대만 TSMC 등과의 경쟁에 불을 댕겼다.

삼성전자는 27일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 ‘삼성 파운드리 포럼 2023’을 열고 2025년 모바일용을 중심으로 2나노 공정을 양산하고, 2026년 고성능컴퓨팅(HPC)용, 2027년 오토모티브용 공정으로 확대한다고 발표했다. 1.4나노 공정은 계획대로 2027년 양산할 예정이다.

‘나노’는 반도체 회로 선폭을 의미하며, 1㎚는 10억분의1m다. 회로 선폭이 미세할수록 저전력, 고성능, 초소형 반도체를 만들 수 있다. 삼성전자에 따르면 2나노 공정은 3나노 공정 대비 성능은 12%, 전력효율은 25% 향상시킬 수 있다. 현재 양산 가능한 기술 수준에서는 3나노 공정이 가장 앞선 기술이다. 1년 전 세계 최초로 도입한 삼성전자와 TSMC만 3나노 양산이 가능하다.

2나노 공정 양산 시작을 두고 세계 1위 파운드리 업체인 TSMC가 삼성과 치열한 경쟁을 벌이고 있다. 대만 언론은 TSMC가 2나노 공정의 시범 생산 준비에 착수했고, 연내 반도체 제품이 소량 생산될 예정이라고 보도했다. 파운드리 사업 재진출을 선언한 인텔도 올해 초 “2나노와 1.8나노 공정용 기술을 개발했다”고 밝혔다.

삼성전자는 지난해 6월 차세대 트랜지스터인 ‘게이트 올 어라운드’(GAA) 구조를 적용한 3나노 양산을 시작했다. GAA는 기존 트랜지스터 구조인 핀펫의 한계를 극복할 차세대 기술로, 이 구조를 도입한 파운드리 업체는 삼성전자가 유일하다.

경계현 삼성전자 디바이스솔루션(DS) 부문장(사장)은 지난달 대전 한국과학기술원(KAIST)에서 열린 경연에서 “2나노 공정부터는 업계 1위도 GAA를 도입할 것”이라며 “5년 안에 기술로 업계 1위를 따라잡겠다”고 밝혔다. 최시영 삼성전자 파운드리사업부 사장은 포럼 기조연설에서 “삼성전자는 인공지능 반도체에 가장 최적화된 GAA 트랜지스터 기술을 계속 혁신해 나가며 인공지능 기술 패러다임 변화를 주도하겠다”고 말했다.